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          等離子體化學氣相沉積設備有哪些特點《臺風資訊》

          放大字體  縮小字體 發布日期:2023-01-09  來源:hitsemi  作者:hitsemi  瀏覽次數:5
          核心提示:等離子體化學氣相沉積設備有兩種:其一是PCVD(等離子體一般化學氣相沉積),另一個是PECVD(等離子體增強化學氣相沉積),它們都是在20世紀70年代發展起來的鍍膜工藝
           等離子體化學氣相沉積設備有兩種:其一是PCVD(等離子體一般化學氣相沉積),另一個是PECVD(等離子體增強化學氣相沉積),它們都是在20世紀70年代發展起來的鍍膜工藝。其特點是:

          1、在不同基片上制備各種金屬膜、有機物聚合膜、非晶態無機物膜;

          2、等離子體清洗基材,使膜層的附著力增加;

          3、可制備厚膜,內應力小、致密性好、針孔小、膜層成分均勻、不易產生微裂紋;

          4、低溫成膜,溫度對基材沒什么影響,避免了高溫成膜的晶粒粗大及基材與膜層間生成脆相。

           

          PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)是將基材置于輝光低氣壓放電的陰極上,以適當氣體通人,在溫度一定的條件下,利用離子轟擊和化學反應相結合的鍍膜過程,在基材表面得到薄膜。如果采用TCl、N、Hh混合氣體,在輝光放電條件下沉積TN,則將在基材表面吸收氣相物質并產生反應,最后形成薄膜沉積在基材表面上。反應過程中產生的輝光放電,有兩種作用:

          1、基材可得到均勻的加熱,為薄膜沉積提供合適的溫度環境;

          2、放電中產生的離子對基材表面有清洗作用。

          這兩種作用可提高膜層結合力,加快反應速度。

           

          PCVD等離子體化學氣相沉積等離子體在電力激發的輸入方式上有內部感應耦合和外部感應耦合兩種方式,從鍍膜過程的生產方式來講,有連續式、半連續式和批量式等幾種方式。

          多室PECVD

           

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